兆易创新自研DRAM芯片明年上半年面世，首款产品将是4Gb DDR3
11月2日消息，近日，兆易创新在业绩电话会议中表示，其Flash产品在TWS耳机当中的导入容量确实在上升，目前256MB的产品正在导入中。此外，兆易创新还透露，其自研DRAM正按照原计划进行，目前研发进度跟预期基本一样，预期明年上半年会有产品出来。自研第一个产品会是DDR3 4Gb容量，面向利基市场。
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合肥长鑫LPDDR5内存有望2-3年内推出，17nm以下工艺
近日，安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。根据该文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。
晋华、联电被控盗窃机密案开庭，美国千方百计阻止中国内存实现量产！
据外媒报道，当地时间本周三，福建晋华与其合作伙伴台湾联电被控窃取商业机密一案在旧金山联邦法院审理，预计晋华和联电将做无罪辩护。
