传苹果已在台积电小量试产SoIC技术，最快2025年正式量产
4月17日消息，据外媒naver报道，苹果公司正在台积电小量试产最新3D小芯片堆叠技术SoIC（系统整合芯片），最快有望2025~2026年有机会看到终端产品问世。
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英伟达Blackwell需求旺盛，将带动台积电CoWoS总产能提升超150%
4月16日消息，英伟达（NVIDIA）最新推出的Blackwell平台产品包括了全新的B200 GPU及整合了Grace CPU的GB200等。市场研究机构TrendForce指出，GB200主要是替代上一代的GH200，但是GH200的出货量预计仅占上代英伟达高端GPU出货量约5%。目前供应链对GB200寄予厚望，预估2025年出货量有机会突破百万颗，将占英伟达高端GPU出货量的近40%~50%。
三星在美投资额提升至400亿美元，将获64亿美元补贴
当地时间4月15日，美国商务部官网发布公告称，已与三星电子签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片和科学法案》向三星电子提供高达64亿美元的直接补贴资金，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国的全球竞争力。同时，三星还还表示，计划申请美国财政部的投资税收抵免，预计将涵盖高达25%的合格资本支出。
台积电CoWoS供不应求，三星抢下英伟达2.5D先进封装订单
4月8日消息，据韩国媒体TheElec报导，三星电子已经成功拿下了GPU大厂英伟达（NVIDIA）的2.5D封装订单。
总投资提高至440亿美元，传三星将在美国再建一座晶圆厂和一座先进封装厂
4月6日消息，据《华尔街日报》报道，三星计划将大幅增加其在美国德克萨斯州泰勒市的半导体投资，预计将在计划的投资170亿美元建造一座5nm晶圆厂的基础上，再兴建一座新的先进制程晶圆厂、一座先进封装厂和一个研发中心，使得总体的投资金额达到约 440 亿美元 。
投资38.7亿美元，SK海力士宣布在美国建先进封装厂
当地时间4月3日，存储芯片大厂SK海力士正式宣布，将投资38.7亿美元在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器的HBM（高带宽内存）的先进封装生产基地，预计将于2028年下半年开始量产。同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。
三星全面发力先进封装，今年相关营收将挑战1亿美元
传台积电将在嘉义建两座先进封装厂
3月18日消息，据台媒报道，传闻台积电将在嘉义科学园区扩产先进封装产能，政府将为其提供六座工厂的用地。
传台积电将在日本建CoWoS先进封装产线
3月18日消息，路透社援引市场人士的消息报道称，晶圆代工龙头台积电正考虑在日本建设CoWoS先进封装产线，而该计划一但施行，将为日本重启其半导体制造业务增添动力。不过，当前台积电尚未做出进一步决定。对此，台积电也不进行评论。
台积电追加先进封装设备订单，今年底CoWoS月产能或超4万片
3月12日消息，随AI需求全面爆发，台积电在2023年启动了其CoWoS先进封装产能大扩产计划。近日业内传出，台积电本月对台系设备厂再度追单，交机时间预计将在今年第四季，因此，今年年底台积电CoWoS月产能将有机会比其原定的倍增目标的3.5万片进一步提高到4万片以上。
台积电CoWoS产能供不应求，多家封测大厂积极扩产
2月18日消息，虽然去年全球半导体市场需求下滑，使得半导体封测市场也受到了较大影响，不过经过1年的电子产品库存去化，库存水位已逐步降至健康水平，预计今年半导体封测市场恢复增长。另外，随着AI芯片需求的带动，市场对于先进封测的产能需求旺盛，虽然台积电今年CoWoS封装月产能将翻倍，但可能仍将供不应求。这也将带动包括日月光、力成、京元电等半导体后段专业封测代工厂（OSAT）的业绩，预计今年都将积极扩大资本支出，布局先进封装产能。
发力先进封装，三星在韩国设混合键合产线
2月5日消息，据韩国媒体The Elec引述业界消息指出，为增强先进封装代工能力，三星开始导入混合键合（hybrid bonding）技术，预计用于下一代X-Cube、SAINT等先进封装。
