5月5日消息，据 TrendForce 表示，美国商务部 2022 年 10 月 7 日颁布半导体限制措施，中国境内进口18nm以下DRAM制造所需的美国设备要进过美国商务部审查。SK海力士（SK hynix）无锡厂虽然有望再获一年的“豁免”许可，但担忧地缘政治风险升高，加上需求清淡导致库存压力持续，今年第一季度开始减产，每月投片量将减少约 30%。

TrendForce表示，无锡厂主流制程为1Y纳米，原先计划将产能持续转进1Z纳米，并降低旧制程产量。然未来制程转进受限于美国禁令影响，因此SK海力士决定提升21nm产线比重，主要产品为DDR3、DDR4 4Gb。长期而言，SK海力士扩产重心将转回韩国，无锡厂则供应中国内需，以及较旧制程的消费级DRAM市场。

虽然DDR3、DDR4 4Gb占SK海力士整体消费级DRAM出货不到三成，但由于SK海力士延长旧制程产线，小容量Consumer DRAM供给量将会逐渐增加。

分析台系相关产品供应链，南亚科（Nanya）、华邦（Winbond）及协助IC设计厂代工的力积电（PSMC）都有供应DDR3 4Gb，DDR4 4Gb则以南亚科为主。以各厂制程节点角度来看，DDR3 4Gb三大厂与南亚科制程约20纳米；DDR4 4Gb方面，三星（Samsung）20纳米与1X纳米都有供应，且有意下半年转进至1Z纳米，制程结构最领先；美光（Micron）则无供应此容量颗粒；SK海力士与南亚科约20纳米。整体看，其他台厂主流产品为DDR3，且制程仍位于25纳米节点，虽华邦、力积电都在开发20纳米，但量产前制程仍较落后。

从第一季消费级DRAM需求端看，因电视库存去化较早，因此SoC近期订单小幅增加，需求相对好转；车用需求虽有一定支撑，但目前市场规模仍小；网络通信需求能见度仍低，买方普遍保守看待，且认为下半年订单需求还会降低。TrendForce表示，尽管原厂陆续减产消费级DRAM，但纳入库存水位计算，整体仍处供过于求，预估第二季均价仍有10%~15%跌幅。值得注意的是，由于消费级DRAM仅占整体DRAM市场消耗量约8.5%，长期来看，SK海力士无锡厂产能陆续开出后将对其他原厂造成供货压力，价格反弹恐更困难。

编辑：芯智讯-林子 来源：TrendForce