昭和电工8英寸SiC外延晶圆开始样品出货

投资200亿日元,昭和电工将日本及台湾地区扩产半导体研磨液-芯智讯

9月8日消息,日本半导体材料大厂昭和电工(Showa Denko KK)昨日宣布,其碳化硅(SiC)功率半导体的8英寸(200mm)SiC 外延晶圆(Epitaxial Wafer)已开始进行样品出货,成为日本首家送样8英寸SiC外延晶圆的厂商。

据介绍,昭和电工出样的8英寸SiC外延晶圆采用的是昭和电工自制的SiC单晶晶圆。

昭和电工指出,和原先使用硅晶圆的功率半导体相比,SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热,来自电动车(EV)、再生能源领域的需求急增,而SiC外延晶圆则是决定SiC功率半导体性能的关键材料。目前SiC功率半导体主要使用6英寸(150mm)SiC外延晶圆进行生产,而随着SiC磊晶晶圆大尺寸化、每片晶圆所能获取的晶片数将变多,有助于提高生产效率、降低成本。

昭和电工表示,该公司已经是全球最大SiC外延晶圆外售厂商。

据悉,昭和电工目前已和东芝子公司“东芝电子元件及储存装置(ToshibaElectronic Devices ?& Storage)”、罗姆半导体(Rohm)等多家厂商签订SiC外延晶圆的长期供应契约。

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编辑:芯智讯-浪客剑

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