7月27日消息，据日本媒体报道，当地时间本周二，日本政府对外表示，将向西部数据和铠侠（Kioxia）在日本共同新建NAND Flash闪存工厂的计划，提供929亿日元（约合6.8亿美元、45.8亿人民币）的补贴。

日本经济贸易大臣萩生田光一在新闻发布会上表示：“我们相信，这笔投资将有助于稳定日本先进存储芯片的生产。”“这将有助于美日在半导体领域的合作关系。”

报道还称，萩生田光一郎和日本外务大臣林芳正定于本周访问美国，与美国同行讨论两国如何在涉及工业和经济政策的安全问题方面进行进一步合作。

今年3月下旬，西部数据和铠侠宣布栓方将在日本岩手县共同兴建一座NAND Flash闪存芯片生产线，项目总投资或达1万亿日元（约493亿元人民币），计划于2022年4月开始建设，2023年完工。

编辑：芯智讯-林子