Wolfspeed启用全球最大8英寸SiC晶圆厂

4月26日消息,碳化硅(SiC)大厂Wolfspeed于美国股市4 月25日盘后宣布,其位于美国纽约州莫霍克谷(Mohawk Valley)的全球最大8英寸碳化硅制造设施正式开业,并于当日举行了剪彩仪式。

Wolfspeed表示,Mohawk Valley晶圆厂是全球第一个、最大、也是唯一的8英寸(200mm)碳化硅晶圆厂(此前碳化硅器件制造主要基于6英寸的碳化硅晶圆),可以提供毫不妥协的高品质晶圆和更高良率。在莫霍克谷开发的器件对于满足 Wolfspeed 200+ 亿美元销售管道(pipeline)和全球半导体产业的需求至关重要。首批 SiC 已于这个月早些时候在这座新工厂开始制造。

Wolfspeed启用全球最大8英寸SiC晶圆厂

Wolfspeed总裁兼首席执行官Gregg Lowe表示,“我为我们的团队和所有的合作伙伴感到非常自豪,他们在这么短的时间内创造了这一不朽的奇迹。该工厂不仅将在2022年为客户提供产品,还将为美国的长期竞争力提供保障。”

Wolfspeed还于美股25日盘前宣布,Lucid Motors的高性能纯电动车(EV)Lucid Air将部署Wolfspeed碳化硅电源装置解决方案。

Wolfspeed、Lucid已签订多年协议,Wolfspeed将生产、供应碳化硅器件。

Gregg Lowe表示,随着世界迈向全电动运输,碳化硅技术处于产业过渡至电动车的第一线,协助实现优异的性能、续航里程和充电时间。

Lucid Motors产品高级副总裁兼首席工程师Eric Bach表示,“将与Wolfspeed合作,在纽约州采购最高质量的碳化硅组件,为电动汽车行业提供更多的美国就业机会。”

在2021年10月,Wolfspeed还曾宣布与通用汽车(General Motors Co, GM)签署一项策略供应协议,Wolfspeed将为GM EV提供碳化矽功率装置解决方案。

Wolfspeed启用全球最大8英寸SiC晶圆厂

资料显示,碳化硅一种宽禁带化合物半导体材料,相对于传统的硅材料来说,碳化硅属于第三代半导体材料的典型代表,其拥有禁带宽度宽、耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势, 可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前,碳化硅半导体器件主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。

需要指出的是,而碳化硅材料的生长也效率非常低,并不像硅材料那样,可以相对容易的制备出数米长的晶棒。目前碳化硅生长出来体积也相对比较小,所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm晶圆。而且,碳化硅属于硬度非常高(碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2~9.6之间,仅仅比金刚石的硬度低0.5左右)的脆性材料,因此,碳化硅晶圆的制备损耗非常高(通常损耗高达三分之二),良率也比较低。

日经亚洲评论去年10月报导,Patent Result分析显示,Wolfspeed的碳化硅专利竞争力处于领先地位,第二至五名依次为罗姆(Rohm Co.)、住友电工、三菱电机以及电装(DENSO)。

值得一提的是,德国汽车零件供应商博世(Robert Bosch GmbH)自2021年底也开始量产可让电动汽车续航里程增加6%的车用碳化硅功率半导体。

博世今年2月还宣布,基于旗下车用/消费用微机电系统(MEMS)感测器、碳化硅功率半导体产品需求持续攀升,公司决定加码投资2.5亿欧元以缓解全球芯片短缺现象。

编辑:芯智讯-浪客剑

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