ASML下一代高精准度EUV光刻机售价将高达3亿美元

ASML携手imec完成了可用于1nm芯片制造的EUV光刻机的设计-芯智讯

对于半导体制造来说,光刻机是极为关键的设备。数据显示,在先进制程产线当中,光刻机的成本占比高达22%,同时也在所有制造工序所消耗的时间当中占据了20%。而全球光刻机大厂ASML独家供应的EUV光刻机,则是制造7nm以下先进制程的必备设备。

目前 ASML 已经推出第三代 EUV光刻机,分别是 TWINSCAN NXE: 3400B、NXE: 3400C、NXE: 3600D,数值孔径都为 0.33。理论第三代 EUV光刻机生产的芯片精度最多 2nm左右,一旦进入 2nm节点以下时,还需要更高精准度的光刻机,称为 High NA(高数值孔径)EUV 光刻机。

ASML下一代高精准度 EUV光刻机型号为 EXE: 5000,数值孔径为 0.55,可用于2nm节点以下芯片制造,如 1.4nm(14埃米)、 1nm(10 埃米)等制程。

2020 年底有媒体报导,ASML 已基本研发完成了新一代高精准度 EUV 曝光设备,且正在试产,预计 2022 年就开始商用。日前比利时微电子研究中心(imec)也表示,ASML EXE: 5000 EUV 光刻机将在 2022~2023 年起供货。不过,2nm以下先进制程节点芯片的量产至少要等到2025年之后。

据 Imec在11月 ITF 大会先进制程节点演进状况,2025 年开始推出 A14(A14=1.4 奈米)制程节点、2027 年推出 A10(10=1 奈米)制程节点、2029 年推出 A7(A7=0.7 奈米)制程节点。

市场分析师也表示,ASML NXE: 5000 型号 0.55 高数值孔径 EUV 曝光设备,预计每套售价高达 3 亿美元,是 0.33 孔径 EUV 光刻设备两倍,对半导体制造厂是另一惊人资本支出高峰期,目前仅台积电、三星、英特尔等三家厂商有能力持续研发先进制程,未来竞争高数值孔径 EUV 光刻机抢得先机,将是难以避免的戏码。

编辑:芯智讯-林子

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