SK海力士M16厂竣工,6月量产第4代10nm级DRAM

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近日,存储大厂SK 海力士(SK hynix)宣布,为应对市场需求回升,该公司将扩充产能规模,其新建的位于首尔南部利川市(Icheon)的M16 产线预计今年6月启动量产,以进一步扩大DRAM供应。

据韩联社报导,SK 海力士的M16 厂计划2月1 日举行竣工仪式。SK 海力士于会议上透露,利川M16 厂将从今年开始进行试产,并视情况调整,预计6 月就能完成试产,接着正式展开大规模量产。

资料显示,2018年12月,SK海力士开始动工兴建M16晶圆厂,斥资高达15兆韩圜(约134亿美元),将采用极紫外光(EUV)光刻技术,生产第四代10nm级制程( 1a奈米)的DRAM产品。

SK 海力士称,已确保EUV 的供应无虞,并正在与EUV 制造商就EUV 设备的长期供应进行密切讨论。根据规划,M16 厂的EUV 设备初期将用于生产第四代10 奈米级DRAM,之后全面用于生产第五代10nm级(1b 奈米)DRAM。

截至2020 年,以第三代10nm级(1z nm)和第二代10nm级(1y nm)制程打造的DRAM,约占SK 海力士DRAM 总产量的40%,计划今年将比率提升到至少75%,同时启动1a nm制程,产能将比1z nm制程高出40%。

SK 海力士会议时表示,2020 年资本支出为9.9 兆韩圜,低于2019 年的12.7 兆韩圜。SK 海力士未提到今年的资本支出目标,但表示跟去年相比,设备资本支出的增幅预料有限。

根据南韩产业通商资源部(Ministry of Trade, Industry and Energy)及南韩半导体业协会(Korea Semiconductor Industry Association)的报告,2021 年南韩晶片出口额预计将年增10.2%,达到1,093 亿美元,有望创历年来次佳表现,仅次2018 年的1,267 亿美元。

当地研究机构预测,2021 年南韩的记忆体晶片出口额可望年增约12%,突破700 亿美元大关,而系统晶片出口额将年增7%,达到310 亿美元以上。

来源:MoneyDJ

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