联电回应窃取美光知识产权指控:已积累了近15年制造DRAM产品的经验

针对美国的“禁令”及窃取美光知识产权和机密的诉讼,上周福建晋华做出回应,称不存在窃取其他公司技术的行为!11月9日深夜,与福建晋华合作的联电也发表声明,否认相关指控,并称联电此前已积累了近15年制造DRAM产品的经验。

此前,美国司法部宣布,向美国法院起诉福建晋华及其中国台湾合作伙伴联华电子以及3名个人,指控其窃取美光的知识产权和商业机密。

起诉书指出,涉案3名台湾男子是陈正坤(Stephen Chen Zhengkun)、何建亭(He Jianting,译音)和王永明(Kenny Wang Yungming,译音),他们全都曾在美光工作,并在加入联电时窃走美光的技术,目的是要转移给成立仅两年的晋华。

 

在声明中,联电指出,联电是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来,在全球的供应链上,已经成为不可或缺的一员,先进量产技术达14nm。

对比之下,美光公司争执所涉及的DRAM技术,是32nm,在联电的计划启动当时,已经是落后几代的技术。

声明中还表示,社会上有一个错误的印象,认为联电没有任何DRAM的知识或经验,这不是事实,而且是极端的不实。

从1996年到2010年,联电积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上,联电内部DRAM团队人数,超过150人。联电是一个有组织的企业机构,藉由坚实而稳定的团队,掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。

以现任共同总经理之一的简山杰为例,简山杰是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。另一个实例则是Alliance公司,该公司是1996年第一个获得联电授权合作DRAM伙伴之一,也是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司,借由联华电子的技术进行DRAM製造。

除了传统的DRAM技术外,2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术,这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

另一方面,联电表示,同意与晋华公司联合开发DRAM制程,这是一个与联电晶圆专工服务完全分开的单独项目,在做成决策当时,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易,已经向政府正式提出申请,主管单位也已于2016年4月批准整个项目。值得一提的是,那时还未听说有中美贸易战。

最后,对于敌对阵营的指控,联电说明,自从联电开始为晋华开发DRAM制程技术,履行合约义务,联电已经花费了数亿新台币。尽管这个项目的研发团队成员接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象,联电的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。

简言之,联电开发的架构是3x2布局的存储单元,这与美光公司的2x3布局的存储单元是完全不同的。

联电也表示,另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25nm的DRAM技术。事实是,美光公司在2010年初,购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25nm DRAM技术。

最后,针对这一起诉,联电表示,不会在报刊上进行这场诉讼,但联电要向客户和投资人保证,对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责,将全力并积极地自我防卫。

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