骁龙830再爆:10nm工艺、基带狂暴

王者归来的骁龙820,让高通长舒了一口气,但这并不意味着高枕无忧。因此,对于后续的产品高通也在积极的规划中。

此前,根据台湾精实新闻的报道,高通新旗舰骁龙830将在今年年内发布(预计第四季度),该处理器采用三星10nm FinFET制程,而搭载该处理器首发手机需要在2017年第一季度才能正式面世。

而近日,知名博主@Black_黑数码进一步曝光了骁龙830的详细参数信息。

据了解,骁龙830 MSM8998将升级到三星10nm FinFET工艺,CPU架构则升级为Kyro 200。骁龙830 GPU升级为Adreno 540,基带升级为X16,支持四个20Hz载波聚合,下载速度达980Mbps,同时引入LPDDR4X内存,视频拍摄则支持到4K×2K/60fps,快充还是QC 3.0。

此外,骁龙820后续继任者骁龙823型号为MSM8996Pro。据透露,其原名为骁龙821,集成Adreno 530 GPU,采用X12系带和Cat.12/13,上行速度为150Mbps,下行速度为600Mbps,支持4GB运存,可拍摄4K视频。

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